高端晶片生产ღ★，富士康ღ★。贝博ballbet体育从产业链的角度来看ღ★，第三代半导体衬底ღ★、外延ღ★、器件设计和晶圆制造各环节彼此间存在着密不可分的唇齿关系ღ★，因此要做到完全垂直分工的产业链ღ★，是一项非常艰巨的挑战ღ★。

　　当我们谈论到硅半导体垂直分工的商业模式时ღ★，无疑是非常成功的ღ★，台积电凭借纯晶圆代工业务已成为全球第三大半导体厂商ღ★。而对于第三代半导体SiC/GaNღ★，目前仍以IDM模式占据主导地位（特别是SiC）ღ★，但随着材料技术不断成熟及市场需求打开ღ★，垂直分工模式正在逐渐兴起ღ★。

　　其中ღ★，功率SiC/GaN代工目前仍处于起步阶段ღ★，但着眼于未来功率半导体庞大市场需求口述20个乱真实案例ღ★，近来越来越多新玩家加入ღ★，包括传统硅晶圆Foundry台积电/世界先进等ღ★。而在射频GaN代工领域ღ★，此前有GaAs模式深厚积累ღ★，故整体发展较快且相对成熟ღ★，且越来越多的新兴射频Fabless公司崛起同样新增了代工需求ღ★。

　　SiC/GaN代工ღ★：Fabless根据自身器件要求开发专有工艺ღ★，然后转移到代工厂生产ღ★。没有相对标准的工艺流程ღ★，考验的是Foundry的特色开发能力ღ★、技术经验及客制化服务等综合能力ღ★。

　　对于Si-IGBT/MOSFET等非常成熟的功率分立器件ღ★，其主要货源仍来自IDM厂ღ★。而SiC器件工艺成熟度远远不及Si基器件ღ★，故代工模式发展阻力更大ღ★。

　　X-Fab是全球第一家提供6吋SiC工艺的foundryღ★，其位于德克萨斯州的工厂2020年月产能已达26000片ღ★，为20多个客户同时代工ballbet贝博体育ღ★，其中越来越多的份额来自亚洲地区ღ★。另外ღ★，X-Fab正在通过提供内部外延能力控制工艺链的附加部分ღ★，交货时间将大大缩短ღ★，这意味着客户的产品可以更快推向市场ღ★。

　　汉磊同样提供4/6吋SiC代工服务ღ★，同时其子公司嘉晶能提供相应的SiC Epi waferღ★，汉磊的高良率SiC产品已成为日系客户的主要供应商ღ★。另外ღ★，近期汉磊计划在竹科投资50亿新台币（约11.6亿人民币）ballbet贝博体育ღ★，全力发展化合物半导体技术ღ★，包括SiC/GaN外延和器件代工ღ★。

　　中国大陆三安集成现阶段代工业务仍着重在4吋SiC工艺上ღ★，6吋产线已通过可靠性认证ღ★，预计不久会完成转移ღ★。

　　目前基本上都是GaN-on-Si产品ღ★，传统硅晶圆Foundry正在向这方面靠拢ღ★，包括台积电ღ★、世界先进ღ★、联电子公司联颖ღ★、富士通等ღ★，另外则是特种工艺Foundryღ★，例如TowerJazzღ★、X-Fabღ★、海威华芯ღ★、三安集成等ღ★。

　　台积电在GaN领域早已发展多年口述20个乱真实案例ღ★，由最基础堆叠不同材料的外延技术开始研究ღ★，其他台系厂商均是由欧洲技转ღ★。据观察ღ★，台积电目前主要提供6吋GaN-on-Si代工服务口述20个乱真实案例ღ★，拥有150V和650V两种平台ღ★。在去年结盟意法半导体后ღ★，已为其代工相关车用产品ღ★，意欲抢攻目前最热门的新能源汽车市场商机ღ★。

　　而在消费电子用的电源转换芯片上ღ★，外资指出台积电从2014年开始就帮GaN快充芯片设计公司Navitas代工ღ★。Navitas至今已经卖出约1300万个GaN快充产品ღ★，目前每月出货量达到100万ღ★，良率极高ღ★。而由于Navitas在此领域拥有约一半市占率ღ★，也证明台积电早已悄悄靠GaN在赚钱ღ★。

　　另外ღ★，苹果预计将在今年推出自身GaN快充产品ღ★，网传Navitas已成为其核心供应商ღ★，因此台积电近期加速推进GaN设备采购验证以应对此情况ღ★。而若台积电GaN Epi wafer产能满载ღ★，或将外包给晶电（Epistar）口述20个乱真实案例ღ★。

　　世界先进因为拥有大量8吋的设备ballbet贝博体育ღ★，也在大力发展GaN-on-Si制造技术ballbet贝博体育ღ★，但其着重点仍在于GaN-on-QST（与设备材料厂Kyma及投资的GaN硅基板厂Qromis 通力合作）ღ★。世界先进在最近5月法说上透露ღ★，其GaN-on-QST技术的客户验证成果不错ღ★，已有几个客户正在进行产品设计ღ★，预期最快Q4可小规模量产ღ★，慢则明年Q2ღ★。

　　GaN制程开发同样是联电研发计划中的重点项目之一ღ★，主要由其持股81.58%的子公司联颖负责ღ★。联颖此前提供6吋砷化镓晶圆代工ღ★，目前携手联电切入GaNღ★，初期将以6吋晶圆代工服务为主ღ★，未来会考虑迈向8吋ballbet贝博体育ღ★。

　　另外ღ★，由LED芯片大厂晶电的代工事业部分割出的晶成半导体以及茂矽等台系厂商也均在布局ღ★。中国大陆方面ღ★，则有三安集成和海威华芯涉足此业务ღ★。

　　现阶段绝大部分产品在SiC衬底上做ღ★，其制程工艺壁垒较高ღ★，目前具备相应技术的代工厂主要有Wolfspeedღ★、稳懋ღ★、宏捷科ღ★、GCSღ★、UMSღ★、OMMIC等ღ★。Wolfspeed是全球知名的GaN-on-SiC射频IDM厂ღ★，同时也对外提供代工服务ღ★；稳懋/宏捷科/GCS则是传统砷化镓代工三强ღ★；另外是欧洲UMS和OMMIC（原飞利浦Ⅲ-Ⅴ族半导体研发中心ღ★，被四川益丰收购）ღ★；国内方面主要是海威华芯口述20个乱真实案例ღ★。

　　值得注意的是ღ★，知名射频Fabless公司MACOM一直热衷于GaN-on-Si方案ღ★，自2011年便与GCS（环宇通讯）合作生产GaN-on-Si射频器件ღ★，近几年和意法半导体展开合作ღ★，此前欲在意大利和新加坡分别建设射频PA晶圆厂生产6/8吋产品ღ★。另外ღ★，欧洲OMMIC同样具备GaN-on-Si射频制造能力ღ★，但代工情况不详ღ★。

　　从产业链的角度来看ღ★，第三代半导体衬底ღ★、外延ღ★、器件设计和晶圆制造各环节彼此间存在着密不可分的唇齿关系口述20个乱真实案例ღ★，因此要做到完全垂直分工的产业链ღ★，是一项非常艰巨的挑战ballbet贝博体育ღ★。

　　但随着未来下游应用需求持续往大电压及大电流推进ღ★，Si/SiC/GaN一超两强三分天下态势俨然形成ღ★，第三代半导体垂直分工模式必然有其广阔的市场空间ღ★，但从长期来看ღ★，IDM模式的主导地位并不会改变ღ★。

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