IT之家6 月 17 日消息ღ◈✿，台积电在2022 年技术研讨会上介绍了关于未来先进制程的信息ღ◈✿，N3 工艺将于 2022 年内量产39魔域贝博ballbet体育官方网站ღ◈✿，ღ◈✿，后续还有 N3Eღ◈✿、N3Pღ◈✿、N3X 等BALLBET贝博体育BALLBET贝博体育ღ◈✿，

　　台积电称FINFLEX 扩展了 3nm 系列半导体技术的产品性能台积电优势ღ◈✿，ღ◈✿、功率效率和密度范围ღ◈✿，允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项ღ◈✿。

　　而在 N2 方面BALLBET贝博体育ღ◈✿，台积电称这是其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET)的节点BALLBET贝博体育半导体行业招聘ღ◈✿，ღ◈✿，而非现在的 FinFET（鳍式场效应晶体管）ღ◈✿。新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势39魔域ღ◈✿。在相同功耗下ღ◈✿，N2 比 N3E 速度快10~15%ღ◈✿；相同速度下ღ◈✿，功耗降低 25~30%ღ◈✿。不过ღ◈✿，与 N3E 相比ღ◈✿，N2 仅将芯片密度提高了 10% 左右ღ◈✿。

　　N2 工艺带来了两项重要的创新ღ◈✿：纳米片晶体管（台积电称之为 GAAFET）和backside power railBALLBET贝博体育ღ◈✿。GAA 纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围ღ◈✿，从而减少了泄漏ღ◈✿；此外ღ◈✿，它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能ღ◈✿，也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本39魔域BALLBET全站appღ◈✿，ღ◈✿。为了给这些纳米片晶体管提供足够的功率ღ◈✿，台积电的 N2 使用 backside power rail39魔域ღ◈✿，台积电认为这是在back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳解决方案之一39魔域ღ◈✿。

　　IT之家了解到BALLBET贝博体育BALLBET贝博体育ღ◈✿，台积电将 N2 工艺定位于各种移动 SoCღ◈✿、高性能 CPU 和 GPUBALLBET贝博体育贝博体育ღ◈✿，ღ◈✿。具体表现如何ღ◈✿，还需要等到后续测试出炉才能得知ღ◈✿。